深振荡磁控溅射的脉冲放电特性

摘要

深振荡磁控溅射（Deep Oscillation Magnetron Sputtering,DOMS）通过一系列调制的电压微脉冲振荡波形，能够实现完全消除电弧放电和靶材近全离化，实现高密度、低离子能量和高束流密度的等离子体沉积.本文综述了DOMS的技术原理和深振荡脉冲放电特性对等离子体离子种类、离子能量的时空演化过程的影响，结果表明，DOMS脉冲参数对靶离化过程的影响遵循电压-时间演变规律，靶离化过程为随短脉冲电压振荡的阶段性离化.

关键词

深振荡磁控溅射 / 载能离子束沉积 / 脉冲放电特性 / 离子分布

基金资助

国家重点研发计划资助项目（2020YFB2104500）; 广东省科技厅重点研发计划资助项目（2019B090909002）