W离子注入VO₂薄膜结构及红外发射性能研究

摘要

探讨了低剂量离子注入技术对VO₂薄膜的结构和红外发射性能的影响，发现1×1015 cm^-2注量的W离子注入掺杂时，会对VO₂薄膜的晶体结构产生一定的损伤；经400℃退火处理后部分恢复了薄膜的单斜相晶体结构，且退火处理后，在掺杂W离子、结构缺陷和氧空位的共同作用下，掺杂量0.12%即可使VO₂薄膜的相变温度降低8.9℃；掺杂原子数量每增加1%，其相变温度相应变化74.2℃；W离子注入并经退火处理后，VO₂薄膜的红外发射率为0.35～0.46，其在低温区间的红外发射率相比未注入薄膜降低了0.14，这大幅度提高了VO₂薄膜在低温区的红外隐身性能.

关键词

二氧化钒 / 离子注入 / 钨 / 红外辐射