Si基InGaN可见光器件研究进展

摘要

Si基InGaN材料因其高电子迁移率，高抗辐射，带隙可调等光电特性，在可见光通信领域展现出良好的潜力。但其发展依旧面临着材料位错密度高、器件性能差及集成度低等问题。为了解决上述问题，研究人员在材料性能，器件设计与集成等方面开展系统地研究并取得了重要进展。本文从材料位错密度调控、器件结构设计与器件集成3个方面讨论了Si基In Ga N可见光器件的研究进展及面临的问题，并展望了其发展前景。

基金资助

国家级大学生创新创业训练计划资助项目（202410561010）