HBT晶体高压下结构、电子及光学性质的密度泛函理论研究

摘要

基于密度泛函理论研究富氮含能材料HBT晶体在高压下的几何结构、电子和光学性质.结果表明在考虑范德瓦尔斯色散修正的情况下，分子晶体和单分子几何结构数据与实验符合很好，误差在5%以内.零压下HBT晶体的能带带隙为4.03 eV,随着压强增大，带隙减小，高压下属于宽禁带半导体.带隙变窄，吸收系数达到2.3×10～6 cm^-1.研究结果为进一步分析高压下HBT晶体特征提供理论参考.

关键词

HBT晶体 / 高压 / 电子结构 / 光学性质