国产功率芯片射频解冻模块设计与应用

摘要

为提高射频解冻领域相关产品的自主可控能力，基于国产自研横向扩散金属氧化物半导体（lateral diffusedmetaloxidesemiconductors,LDMOS）功率芯片，提出一种由全国产晶体管放大电路构成的大功率射频解冻模块设计方案。该方案核心放大电路部分采用三级级联自研功率放大器，分别为前置级DS5089、驱动级DS6S0910P和末级DS300AN，并设计大功率射频解冻模块。对模块进行射频性能测试、功能测试以及可靠性测试。研究结果表明：基于国产晶体管设计的模块具备较好的射频性能，饱和输出功率大于53 dBm，电源转化效率超过60%，并能在特定时间内快速有效地完成食物解冻。研究结论为射频解冻领域国产晶体管放大电路设计提供参考。

关键词

国产化 / 功率放大器 / 横向扩散金属氧化物半导体 / 射频解冻 / 大功率