ZnSe量子点光电探测器的制备及其性能研究

摘要

本研究旨在合成ZnSe量子点并制备基于ZnSe量子点的光电探测器，评估其光电性能。采用热注入法合成ZnSe量子点，利用无水醋酸锌和硒粉作为前驱体，经过精确的温度控制和惰性气氛保护，成功获得了高质量的ZnSe量子点。随后，通过旋涂法将量子点薄膜制备在ITO基底上，并在高温下进行退火处理，以提高薄膜的结构稳定性和光电性能。最终，制备的ZnSe光电探测器经过I-V特性和光谱响应测试，结果显示其在可见光波段具有良好的光电转换能力，尤其在500nm波长处的响应电流达到最大值5.8μA，表明其在光电探测应用中具有广阔的前景。

关键词

ZnSe量子点 / 光电探测器 / 性能