缺陷化UiO-66@CdS催化剂制备及其可见光降解MB

摘要

为改善UiO-66对可见光利用率低以及CdS易于光腐蚀的问题，通过简单溶剂热法成功将缺陷化UiO-66与六方相CdS纳米球复合，制备了n-n异质结光催化剂即缺陷化UiO-66@CdS（UC）。采用SEM、TEM/HRTEM、XRD、XPS等方法对复合材料的形貌结构进行表征，对其光电性能进行测试；采用该催化剂对亚甲基蓝（MB）进行光催化降解，并分析其降解机理。结果表明：复合材料UC的光电性能远远优于UiO-66和CdS,n-n异质结的构建有效抑制了光生载流子的复合，并加速了迁移速率，使得材料的光催化活性大大提升，空穴（h⁺）在催化反应中起关键作用；缺陷化UiO-66@CdS催化剂在140 min对MB的降解率达到99.63%，降解速率分别是UiO-66和CdS的4.23和3.33倍。

关键词

硫化镉 / UiO-66 / n-n异质结 / 催化剂 / 可见光降解 / 光电性能 / 亚甲基蓝