高过载下引信二次电源电路参数漂移分析

摘要

在高过载环境下引信无法使用物理和化学电源，需备用二次电源。现有研究集中于元器件的结构失效，本文主要研究高过载环境中二次电源参数漂移对其性能的影响。首先，采用霍普金森压杆实验分析了在110 000 g,125 000 g, 140 000 g, 160 000 g和180 000 g环境下电容值的漂移。然后，通过与仿真结果对比验证了仿真模型的可靠性。通过仿真的方式分析了侵彻环境下二次电源输出电流和电压的漂移情况。结果显示，侵彻峰值过载为45 133 g，过载时长为480μs时，输出电压漂移0.14%的持续时间为190μs，电流漂移0.13%的持续时间为790μs。侵彻峰值过载为99 103 g，过载时长为280μs时，输出电压漂移1.34%的持续时间为140μs，电流漂移6.71%的持续时间为170μs。分析发现，侵彻过程中相同的峰值过载导致的输出电流漂移量大于电压漂移，且高过载持续的时间越长，二次电源输出电流和电压发生漂移的时间越长。

关键词

二次电源 / 多层陶瓷电容 / 霍普金森压杆 / 冲击过载