GaAs/AlGaAs异质结量子点接触中的散粒噪声实验研究

摘要

量子点接触是一种具有丰富物理内涵的准一维受限量子体系，是研究电子量子输运的理想体系.量子点接触产生的散粒噪声已经成为介观物理越来越感兴趣的一个热点.本文在传统的GaAs/AlGaAs材料中设计了量子点接触器件，分别测量了它处于零磁场与高磁场下的散粒噪声，分析了处于20 mK的极低温下器件的散粒噪声随源漏偏压、栅电压以及磁场等参数的变化规律.我们得到了Fano因子随栅电压的变化规律，并与器件的电导平台作对比，分析了前两个霍尔通道从关闭到打开的过程中电子的散射行为.本文的研究会加深我们对量子点接触结构中电子量子输运性质的理解.

关键词

量子点接触 / 电子量子输运 / 散粒噪声 / Fano因子