化学气相沉积法和机械剥离法制备的二硫化钼的光谱特性对比研究

摘要

二硫化钼是一种最具代表性且被广泛关注和研究的二维层状半导体材料，其能带结构随着MoS₂厚度减薄至单层时，将从间接带隙向直接带隙转变.本文首先分别通过化学气相沉积（CVD）法生长了大面积MoS₂薄膜以及通过机械剥离法制备了二硫化钼纳米片.然后直接对两种方法制备的MoS₂的光谱特性进行了对比研究.拉曼光谱和光致发光（PL）谱结果表明，CVD法生长的MoS₂薄膜具有与机械剥离法制备的MoS₂纳米片可比拟的高晶化质量，这为将来实现MoS₂的大规模应用提供了一种可靠的生长方法 .

关键词

化学气相沉积 / 机械剥离 / 二硫化钼 / 光谱特性