离子束辅助沉积对HfO2薄膜极化行为的影响

李德鹏; 金永军

doi:10.13484/j.nmgdxxbzk.20250306

内蒙古大学学报（自然科学版） ›› 2025, Vol. 56 ›› Issue (03) : 268 -275. DOI: 10.13484/j.nmgdxxbzk.20250306

离子束辅助沉积对HfO₂薄膜极化行为的影响

李德鹏, 金永军

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摘要

采用离子束辅助沉积工艺制备了HfO₂薄膜。采用扫描电子显微镜表征了薄膜的表面形貌和生长率，利用X射线衍射和快速退火工艺研究了薄膜的结晶温度和物相，使用铁电测试仪研究了薄膜的极化特性，并探讨了辅助沉积条件和底电极的选择对极化行为的影响。XRD测试结果显示，当退火温度高于600℃,HfO₂薄膜出现明显晶化且具有马氏体相结构。由离子束辅助沉积导致的择优取向增强了顺电的极化特性，且漏电流密度随离子束流增大而减小。与Pt基底相比，TiN作为底电极薄膜具有更大极化率。