本征缺陷态影响下Ga2O3/Cu2O二极管的电学与光电特性

丁尔沙; 尤琪; 朱俊; 张克雄

doi:10.13484/j.nmgdxxbzk.20250310

内蒙古大学学报（自然科学版） ›› 2025, Vol. 56 ›› Issue (03) : 317 -324. DOI: 10.13484/j.nmgdxxbzk.20250310

本征缺陷态影响下Ga₂O₃/Cu₂O二极管的电学与光电特性

丁尔沙, 尤琪, 朱俊, 张克雄

作者信息 +

Author information +

文章历史 +

PDF

摘要

缺陷对氧化物半导体电子及光电子器件的性能起到至关重要的作用。设计由宽禁带半导体n-Ga₂O₃/p-Cu₂O异质结构成的二极管，通过仿真研究器件中的本征缺陷态对其电学与光电特性的影响。随着缺陷浓度增加，空穴浓度不断上升，电子浓度不断下降，导致正向导通电压与反向击穿电压不断升高。器件的最低正向导通电压为0.42 V,最大反向击穿电压达到190 V。若受紫外光照射，光生电流随缺陷浓度的增加先缓慢增加然后不断减小，光生电流密度超过10^-3 A/cm²。