半导体Ag@Co-MOF掺杂材料的合成及表征

张钢强; 张军; 孙朋涛; 李鹏云; 张美丽

doi:10.16357/j.cnki.issn1000-5862.2025.01.10

江西师范大学学报（自然科学版） ›› 2025, Vol. 49 ›› Issue (01) : 80 -85. DOI: 10.16357/j.cnki.issn1000-5862.2025.01.10

半导体Ag@Co-MOF掺杂材料的合成及表征

张钢强, 张军, 孙朋涛, 李鹏云, 张美丽

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摘要

该文通过水热法合成了2维层状配位聚合物[Co（tib）(mpda)（H₂O）₂]·H₂O（Co-MOF）(tib=均苯三咪唑，mpda=间苯二乙酸).使用超声粉碎法将Co-MOF层状结构剥离形成2维纳米片，再利用光还原法将Ag粒子沉积在Co-MOF表面上，形成Ag@Co-MOF掺杂材料.Ag粒子的掺杂有利于加速光生载流子的输运，避免电子（e^-）和空穴（h⁺）的复合，使电荷转移速率加快.Co-MOF的带隙能为3.4 eV,Ag@Co-MOF掺杂材料的带隙能降至2.8 eV,且可见光的吸收度明显增强，这说明该材料可作为半导体光催化剂材料.XPS、SEM、TEM等表征结果表明Ag@Co-MOF掺杂材料被成功合成.