NbSe₂纳米片优化钙钛矿太阳能电池的埋底界面

摘要

有机-无机金属卤化物钙钛矿太阳能电池（PSC）因其优异的光伏性能和低成本制造工艺成为下一代太阳能电池的有利候选者。其中，氧化锡（SnO₂）具有优异电荷迁移率和电子提取效率，广泛用作钙钛矿太阳电池的电子传输层（ETL），相应的n-i-p型单结钙钛矿器件已获得高达26.21%的认证效率。SnO₂层作为钙钛矿薄膜生长的基底，对钙钛矿埋底界面的形成和薄膜的结晶质量起着决定性作用。然而，由于SnO₂和钙钛矿的热膨胀系数存在差异，在后续的退火过程不可避免地会在钙钛矿薄膜中产生残余应力导致晶格畸变，这严重影响了电池的光电性能和稳定性。针对残余应力释放问题，研究人员将不同的聚合物和小分子作为缓冲层应用于SnO₂/钙钛矿界面，并取得了一些进展。而与这些绝缘材料相比，二维（2D）纳米片具有高载流子迁移率、宽带隙和优异光吸收性能等特性，是很有前景的界面材料。尤其，2D NbSe₂纳米片具有溶液可加工性、高固有电导率以及干净光滑表面（即没有悬空键）等优点。因此，本工作在SnO₂/钙钛矿界面引入2D NbSe₂纳米片以释放钙钛矿薄膜中的残余拉伸应变，并构建更匹配的能级排列结构。最终，我们制备出了高质量的钙钛矿薄膜，并将钙钛矿太阳能电池效率从21.81%提高到24.05%。另外，文本的未封装电池在大气条件下老化1000 h后，仍保持了91%的初始效率。

关键词

钙钛矿太阳能电池 / 二维材料 / 应变释放 / 能级排列