CdTe半导体量子点的制备及其荧光性能测定

摘要

半导体量子点是一种由Ⅱ–Ⅵ族(CdSe, CdTe, CdS, ZnTe, ZnO)、Ⅲ–Ⅴ族(InAs, GaSb, InP)和Ⅳ族(Si, Ge)元素组成的纳米颗粒。目前研究较多的主要是Ⅱ–Ⅵ族的CdS、CdSe、CdTe等半导体量子点，它们具有窄带隙而表现出优异的荧光特性，这些特性是与其本征的量子尺寸效应密切相关的。本实验采用简便的水相回流法，以巯基乙酸作为保护剂，NaHTe为Te前体，在3 h的回流反应中制备出多种颜色的CdTe半导体量子点，并针对实验中出现的NaHTe转移液体过程中易被氧化的问题作出了改进，对产物的荧光性能进行了测定，最终得到了一系列量子产率达到48%的CdTe量子点。实验具有工艺简便、试剂消耗少、荧光变化明显的优点，对实验难点的改进使其具有良好的操作性与可重复性，适合拓展为本科生无机化学、仪器分析实验以及专业综合实验。

关键词

半导体量子点 / 光致发光 / 荧光光谱分析法 / 荧光量子产率