低压Si MOSFETs对SiC/Si级联器件短路特性的影响

摘要

由低压硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Silicon Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, Si MOSFET）和碳化硅结型场效应晶体管（Silicon Carbon Junction Field-Effect Transistor, SiC JFET）构成的SiC/Si级联（Cascode）器件，兼具了低压Si MOSFET易于驱动、SiC JFET高耐压低损耗等优点。该文采用实验和数值模拟的方式研究了低压Si MOSFET对SiC/Si级联器件短路特性的影响，结果表明，在短路过程中SiC/Si级联器件中的SiC JFET最高温度比单独的SiC JFET短路时的最高温度低，SiC/Si级联器件的短路失效时间得到了延长，并且随着Si MOSFET额定电压的增加，SiC/Si级联器件短路失效延长的时间也在增加。

关键词

泄漏电流 / SiC/Si级联器件 / SiC JFET / 短路失效

基金资助

安徽省自然科学基金（2008085ME157）; 安徽高校自然科学研究项目（KJ2020A0247）