半导体用难熔金属靶材研究现状与展望

李剑; 王广达; 熊宁; 李兆森

doi:10.19591/j.cnki.cn11-1974/tf.2024050026

粉末冶金技术 ›› 2025, Vol. 43 ›› Issue (5) : 593 -600. DOI: 10.19591/j.cnki.cn11-1974/tf.2024050026

半导体用难熔金属靶材研究现状与展望

李剑, 王广达, 熊宁, 李兆森

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摘要

半导体是国家的支柱产业和战略基础，随着第三代半导体技术的发展，芯片集成电路的制造与材料供应成为制约产业发展的关键。钨、钽等难熔金属靶材是制造半导体集成电路的关键材料，通过溅射制备的各种功能薄膜已应用到电子信息产业的各个领域。我国拥有丰富的难熔金属资源和较大的产业规模，但高端靶材仍然依赖进口。近年来，国内企事业单位从原材料提纯、制备加工以及性能调控等方面持续改进和提升难熔金属靶材质量，已突破高纯原料的制备和高性能靶材的加工，在高纯钨、钨钛合金靶材、钨硅合金靶材以及高纯钽靶等领域取得了显著的进步。本文分析了近年半导体用难熔金属靶材的研究现状，介绍了国内在高纯难熔金属靶材方面的技术进展，并对未来发展提出了建议。