低温度系数高电源抑制比宽频带带隙基准电压源的设计

连天培; 蒋品群; 宋树祥; 蔡超波; 庞中秋

doi:10.16088/j.issn.1001-6600.2019.01.014

广西师范大学学报（自然科学版） ›› 2019, Vol. 37 ›› Issue (01) : 125 -132. DOI: 10.16088/j.issn.1001-6600.2019.01.014

低温度系数高电源抑制比宽频带带隙基准电压源的设计

连天培, 蒋品群, 宋树祥, 蔡超波, 庞中秋

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摘要

本文设计了一款低温度系数高电源抑制比的带隙基准电压源。设计采用动态阈值MOS管(DTMOS)产生温度补偿电流,以降低温漂;输出部分采用一个简单的低通滤波器,以降低高频噪声,在较宽频带内提高电源抑制比。电路采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺实现,供电电源为1.8V,仿真结果表明:电路在-40～130℃温度范围内,温度系数为1.54×10-6℃-1,输出基准电压为1.154V,电源抑制比在10Hz处为-76dB,在100kHz处为-85dB,在15 MHz处为-63dB。本基准源具有较好的综合性能,可为数模转换电路、模数转换电路、电源管理芯片等提供高精度的基准电压,具有较大的应用价值。