Cu₂ZnSn（S,Se）₄光电突触忆阻器及其神经形态应用研究简述

摘要

忆阻器作为构建新一代“存算一体”与类脑神经形态计算的关键基础器件,凭借其高密度存储、可调电导及潜在效能优势,被视为突破“冯·诺依曼架构”瓶颈的重要候选.Cu₂ZnSn（S,Se）₄（CZTSSe）阻变材料光电响应优良、元素储量丰富、成本低廉且环境友好,已成为光电突触忆阻器的优选材料.本文从组分比、电极匹配、厚度调控等方面,简要综述了CZTSSe光电突触忆阻器在阻变性能优化、突触行为模拟,以及神经形态应用中的研究进展,为高性能CZTSSe基神经形态器件的设计、优化及应用提供重要参考.

关键词

CZTSSe / 忆阻器 / 光电突触 / 神经形态计算