nFinFET低温总剂量效应的研究

摘要

为研究nFinFET的低温总剂量辐射效应和器件损伤机理,对16 nm工艺体硅nFinFET在300K和77K温度下进行⁶⁰Co-γ射线辐照试验,总剂量为1 Mrad（Si）,利用半导体测试仪测试关键电参数性能。结果表明,300K辐照后器件特性几乎无变化,而77K辐照后观察到阈值电压的负向漂移、跨导的减少以及关断电流的增加。低温环境可以抑制辐照产生的电子空穴对复合,STI区电荷俘获增强,导致器件性能衰减,极低温辐射环境电子系统设计过程中,需对nFinFET器件性能衰减与可靠性充分验证,研究为后续在轨服役工况选取和抗辐射加固设计工作提供了数据和理论支持。

关键词

低温总剂量辐射效应 / FinFET器件 / 深空探测航天器器件