β-Zn4Sb3半导体热电晶片化学镀镍工艺研究

电镀与涂饰 ›› 2025, Vol. 44 ›› Issue (10) : 26 -34.

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电镀与涂饰 ›› 2025, Vol. 44 ›› Issue (10) : 26 -34. DOI: 10.19289/j.1004-227x.2025.10.004

β-Zn4Sb3半导体热电晶片化学镀镍工艺研究

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摘要

[目的]为解决β-Zn4Sb3热电晶片在半导体温差发电器应用中面临的金属化难题,提升其可焊性并抑制高温下元素的互扩散,开展其表面化学镀镍工艺研究。[方法]依次对β-Zn4Sb3热电晶片进行机械粗化、一步敏化-活化、碱性预镀镍和酸性化学镀镍。研究了酸性化学镀镍pH、温度及施镀时间对沉积速率和Ni镀层微观结构的影响,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)及能谱仪(EDS)对镀层进行表征,测试了镀层的显微硬度、表面粗糙度和结合力。[结果]在p H=5.0、温度85°C的条件下化学镀20 min时,所得Ni镀层的厚度约为28μm,均匀致密,显微硬度达563 HV,表面粗糙度Ra为0.78μm,结合力优异。[结论]本研究成功优化了β-Zn4Sb3表面化学镀镍工艺,为其金属化处理提供了技术支持,显著提升了其在半导体温差发电器中的应用潜力。

关键词

半导体温差发电器 / β-三锑化四锌 / 化学镀镍 / 组织结构 / 显微硬度 / 结合力

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β-Zn4Sb3半导体热电晶片化学镀镍工艺研究[J]. 电镀与涂饰, 2025, 44(10): 26-34 DOI:10.19289/j.1004-227x.2025.10.004

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