铜基镀银引线框架棕色氧化工艺研究

张坤雷; 张德良; 任志军; 朱林; 杨永学; 黄伟

doi:10.19289/j.1004-227x.2025.10.007

电镀与涂饰 ›› 2025, Vol. 44 ›› Issue (10) : 50 -55. DOI: 10.19289/j.1004-227x.2025.10.007

铜基镀银引线框架棕色氧化工艺研究

张坤雷, 张德良, 任志军, 朱林, 杨永学, 黄伟

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摘要

[目的]铜基镀银引线框架产品应用广泛，棕色氧化处理可有效提升其芯片塑封后的可靠性。[方法]研究了棕色氧化溶液中各组分浓度和工艺参数对铜基镀银引线框架产品表面粗化度的影响。检测了未经棕色氧化处理与棕色氧化处理的铜基镀银引线框架塑封后的可靠性。[结果]铜基镀银引线框架棕色氧化处理的较优溶液组成和工艺参数为：组分A 210～230 mL/L，组分B 190～210 mL/L，双氧水45～55 mL/L，传送速率1.0～1.5 m/min，循环泵频率25～35 Hz，温度35～45℃。[结论]经棕色氧化处理后，铜基镀银引线框架的表面粗化度可达到1.4以上，与芯片完成塑封后其湿度敏感性等级可达1级。