射频磁控溅射制备SnS薄膜及其特性研究

doi:10.16379/j.cnki.issn.1004-4353.2024.04.004

延边大学学报（自然科学版） ›› 2024, Vol. 50 ›› Issue (04) : 20 -25. DOI: 10.16379/j.cnki.issn.1004-4353.2024.04.004

射频磁控溅射制备SnS薄膜及其特性研究

杨壮, 戚庆碧, 顾广瑞

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摘要

以玻璃和硅(Si)为衬底，采用射频磁控溅射法在不同溅射压强下制备了SnS薄膜.利用X射线衍射仪对SnS薄膜进行表征分析显示，所有样品均沿(111)面择优生长，溅射压强为0.8 Pa时薄膜结晶性最好；使用场发射扫描电子显微镜对SnS薄膜进行测试，结果表示，随着压强的变化，晶粒结构也随之发生明显变化；采用紫外可见分光光度计对于SnS薄膜进行测量，表明在工作压强0.8 Pa下生长的薄膜具有最大的光学带隙值.该研究结果可为SnS半导体薄膜的应用提供参考.