CdO掺杂SnS薄膜的制备及其光学、电学特性研究

摘要

本文利用射频磁控共溅射技术在不同溅射功率下制备了掺杂CdO的SnS薄膜（CdO:SnS薄膜）,并研究了不同掺杂功率对薄膜的结构、光学性能和电学性能等影响.对CdO:SnS薄膜的XRD图进行分析表明,随着CdO掺杂功率的增加,薄膜由SnS正交结构转变为由SnS和CdS混合的结构,且薄膜沿CdS₂₁₄晶面择优生长.对CdO:SnS薄膜的FESEM图谱进行分析表明,薄膜晶粒生长均匀,其中掺杂功率为10W时,薄膜表面晶粒大小相对最为均匀.对CdO:SnS薄膜的透射光谱进行分析表明,掺杂功率为10W时,薄膜的透射率最高,其中在近红外区的平均透射率为61.890%.对CdO:SnS薄膜的霍尔效应测量结果进行分析表明,薄膜具有p型导电性,且薄膜的电阻率随CdO掺杂功率的增加而增大,其中最大电阻率为5.80×10^-6Ω·cm（25W）.本文研究结果可为CdO:SnS薄膜在光学器件方面的应用提供参考.

关键词

射频磁控溅射技术 / CdO:SnS薄膜 / 溅射功率 / 电学性能 / 光学性能

基金资助

国家自然科学基金资助项目(51272224); 吉林省自然科学基金(20210101163JC)