射频磁控溅射制备ZnTe薄膜的光电特性研究

宋雨翰; 崔熙林; 顾广瑞

doi:10.16379/j.cnki.issn.1004-4353.2026.03.004

延边大学学报（自然科学版） ›› 2026, Vol. 52 ›› Issue (3) : 19 -24. DOI: 10.16379/j.cnki.issn.1004-4353.2026.03.004

射频磁控溅射制备ZnTe薄膜的光电特性研究

宋雨翰, 崔熙林, 顾广瑞

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摘要

本文利用射频磁控溅射工艺,以溅射功率为调控变量,在玻璃和硅衬底上成功沉积了ZnTe薄膜.运用X射线衍射(XRD)、紫外-可见-近红外光谱和霍尔效应测量系统,系统考察了薄膜的晶体结构演变、光学性能和电输运特性.薄膜的X射线衍射图谱显示,ZnTe薄膜均呈现闪锌矿结构,且随着溅射功率的逐渐增加,薄膜的晶粒尺寸呈现出明显增大的趋势.透射光谱分析表明,ZnTe薄膜在可见光区域透射率较低,在近红外光区域透射率较高.对薄膜的Tauc曲线进行分析结果表明,薄膜的带隙随溅射功率的增加呈现减小趋势.对薄膜的霍尔效应进行分析显示,增加溅射功率会导致薄膜电阻率下降,载流子浓度增加.本研究结果可为ZnTe薄膜在光电器件领域的实际应用提供有价值的实验依据.