太赫兹全介质超材料中对称性破缺诱导的准连续域束缚态

杜智勇; 金星日

doi:10.16379/j.cnki.issn.1004-4353.2026.03.013

延边大学学报（自然科学版） ›› 2026, Vol. 52 ›› Issue (3) : 6 -11. DOI: 10.16379/j.cnki.issn.1004-4353.2026.03.013

太赫兹全介质超材料中对称性破缺诱导的准连续域束缚态

杜智勇, 金星日

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摘要

为在太赫兹频段下实现由对称性破缺诱导产生的准连续域束缚态（quasi-bound states in the continuum,Q-BIC）,本文提出了一种硅基全介质平面超材料,其单元结构由带有矩形缺口的正方形硅块组成.对所提出的超表面进行研究表明:在线偏振光垂直入射下,缺口能够破坏结构的C₂旋转对称性与面内镜像对称性,进而促使无辐射、零线宽、无限高品质因子的连续域束缚态（bound states in the continuum,BIC）转变为有限线宽且有辐射通道的Q-BIC.与以往通过多共振器间耦合实现Q-BIC的方案相比,该设计仅通过在单层硅结构中引入几何缺陷即可实现对称性破缺,极大简化了结构设计.因此,该方案为研发高灵敏度传感器、可调谐光子器件等提供了一种新思路.