GaAs晶体二维自旋磁极化子平均数的磁温效应

李岗; 李子军

doi:10.13951/j.cnki.37-1213/n.2006.02.006

烟台大学学报（自然科学与工程版） ›› 2006, Vol. 19 ›› Issue (2) : 106 -111. DOI: 10.13951/j.cnki.37-1213/n.2006.02.006

GaAs晶体二维自旋磁极化子平均数的磁温效应

李岗, 李子军

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摘要

研究了半导体内弱耦合二维自旋磁极化子的磁场和温度特性.在有限温度和外加均匀恒定磁场的情况下,应用么正变换和线性组合算符法给出了GaAs晶体内极化子平均数与磁场和温度的依赖关系的理论表示,也作了数值分析.数值计算的结果表明:在某一确定的温度下,弱耦合二维自旋磁极化子平均数随磁场的加强而减小;磁场较弱或温度较高时,平均数变化较剧烈;磁场较强或温度较低时,平均数变化较平缓;当外加磁场确定时,弱耦合二维自旋磁极化子平均数随温度升高而增大;当温度较低或磁场较强时,平均数变化偏离线性关系;当温度较高或磁场较弱时,其变化接近线性关系.