过量镁掺杂的p-GaN的变温霍尔效应研究

烟台大学学报（自然科学与工程版） ›› 2007, Vol. 20 ›› Issue (2) : 99 -101+107. DOI: 10.13951/j.cnki.37-1213/n.2007.02.006

周淑菊, 郭洪英, 孙元平, 林圣路

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利用变温霍尔效应研究了过量镁掺杂p-GaN样品空穴浓度随温度变化以及迁移率与掺杂浓度的关系,指出了过量镁掺杂引起位错密度的增加是导致空穴载流子浓度随掺杂浓度增加而减少的主要原因.尽管适当增加镁的掺杂浓度可以提高样品中空穴的迁移率,但是超高的重掺杂将会导致样品中的空穴浓度和迁移率同时急剧下降.

霍尔效应 / 重掺杂 / p-GaN

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周淑菊, 郭洪英, 孙元平, 林圣路. 过量镁掺杂的p-GaN的变温霍尔效应研究[J]. 烟台大学学报（自然科学与工程版）, 2007, 20(2): 99-101+107 DOI:10.13951/j.cnki.37-1213/n.2007.02.006

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国家自然科学基金资助项目(10404022); 烟台大学博士后科研启动基金(WL04B23)

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