石墨电极制备多孔硅的蓝光发射研究

吴现成; 闫大为; 徐大印; 甄聪棉

doi:10.13951/j.cnki.37-1213/n.2008.02.016

烟台大学学报（自然科学与工程版） ›› 2008, Vol. 21 ›› Issue (2) : 91 -93. DOI: 10.13951/j.cnki.37-1213/n.2008.02.016

石墨电极制备多孔硅的蓝光发射研究

吴现成, 闫大为, 徐大印, 甄聪棉

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摘要

采用自制的双电解槽、高纯石墨电极,在一定浓度的氢氟酸乙醇溶液中阳极氧化腐蚀硅片制备一定孔隙度的多孔硅.利用荧光分析仪(激发波长250 nm)分析了样品的光学特性,在470 nm处观测到明显的蓝光发射峰.改变阳极腐蚀电流密度和腐蚀时间,研究腐蚀参数对光学特性的影响,结果表明:改变阳极电流密度和腐蚀时间不能引起470 nm处峰位的蓝移或者红移;随着电流密度的增强,波长470 nm峰值和半宽积分值先增大后减小;延长腐蚀时间,峰值和半宽积分值不断变大.同时,对实验现象进行了初步的理论解释.