铟组分不同的InGaN材料的光致发光特性

郑大宇; 孙元平; 王莉莉; 张书明; 杨辉

doi:10.13951/j.cnki.37-1213/n.2008.03.005

烟台大学学报（自然科学与工程版） ›› 2008, Vol. 21 ›› Issue (3) : 181 -184. DOI: 10.13951/j.cnki.37-1213/n.2008.03.005

铟组分不同的InGaN材料的光致发光特性

郑大宇, 孙元平, 王莉莉, 张书明, 杨辉

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摘要

利用光致发光谱研究了不同组分铟镓氮材料的光学特性.发现随着温度升高,2个样品的主峰表现出一种行为:半高宽度(FWHM)增加时,主峰位置红移;半高宽度减少时,主峰位置蓝移.对所得数据进行Arrhenius拟合,比较激活能得出结论:样品B中的非辐射复合中心比样品A中的易被激活;样品B中的载流子逃逸效应比样品A中更为明显.从而解释了2个样品发光效率不同的原因,为样品的改良提供了理论依据.