全氧化物异质结HoMnO3/Nb-SrTiO3的电子输运特性

袁德华; 张立新; 戴振宏; 王伟田

doi:10.13951/j.cnki.37-1213/n.2011.01.009

烟台大学学报（自然科学与工程版） ›› 2011, Vol. 24 ›› Issue (1) : 23 -26. DOI: 10.13951/j.cnki.37-1213/n.2011.01.009

全氧化物异质结HoMnO₃/Nb-SrTiO₃的电子输运特性

袁德华, 张立新, 戴振宏, 王伟田

作者信息 +

Author information +

文章历史 +

摘要

通过脉冲激光沉积技术在掺杂1.0%Nb的SrTiO3单晶基底上制备了单一c轴取向的正交HoMnO3薄膜,测量了变温条件下全氧化物异质结HoMnO3/Nb-SrTiO3的伏安曲线,结果显示出二极管的整流特征,并且正向电流可以用热电子发射模型解释.但是随着温度的降低,在HoMnO3/Nb-SrTiO3异质结中出现反向偏压电流异常增加的现象.本文用异质结界面上的隧穿效应解释了这个结果.