沉积在氧化铝模板上的纳米SiC的结构和发光性质研究

摘要

用二次阳极氧化法制备了高质量的氧化铝模板,用磁控溅射法在氧化铝模板上溅射生长了非晶SiC材料.原子力显微镜结果显示,在不同的溅射气压下(0.5～1.5Pa),能够形成层状、点状和棒状的SiC纳米结构.光致发光谱显示,在550～700nm之间有一个很强的发光峰,随着生长条件的改变,这个发光峰的强度有显著的变化.分析了纳米结构的形成、发光峰的变化与制备条件的关系.

关键词

磁控溅射 / 氧化铝模板 / SiC / 光致发光

基金资助

国家自然科学基金资助项目(51007092); 教育部重大项目培育基金资助项目(708014); 教育部专项基金(2010JS032); 烟台大学青年基金资助项目(WL11Z$)