一维纳米线阵列可控性制备研究

李剑平; 杨咏东

doi:10.13951/j.cnki.37-1213/n.2014.01.009

烟台大学学报（自然科学与工程版） ›› 2014, Vol. 27 ›› Issue (1) : 23 -26. DOI: 10.13951/j.cnki.37-1213/n.2014.01.009

一维纳米线阵列可控性制备研究

李剑平, 杨咏东

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摘要

用二次阳极氧化法制备出高质量的氧化铝模板,通过扩孔处理,制备出通孔的氧化铝模板,利用直流磁控溅射法在通孔的氧化铝模板上镀一层金膜,做导电层.用镀金且通孔的氧化铝模板作为电化学沉积装置的阴极,用高纯铅块作为阳极,采用直流电化学沉积法,在镀金的氧化铝模板纳米级孔洞中,制备出高度有序的镍纳米线阵列.使用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、EDS对所制备的样品进行形貌、成分、结构及相关性能的表征和测试.结果表明所制备的镍纳米线沿氧化铝孔洞生长、排列规整,形态均匀,其直径约60nm.分析了纳米线的形成机理和制备条件之间的关系.