HEMT压力传感器

张昌盛

doi:10.13951/j.cnki.37-1213/n.2016.03.008

烟台大学学报（自然科学与工程版） ›› 2016, Vol. 29 ›› Issue (3) : 199 -203. DOI: 10.13951/j.cnki.37-1213/n.2016.03.008

HEMT压力传感器

张昌盛

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摘要

利用Al Ga N/Ga N半导体的极化效应在异质结界面产生二维电子气(2DEG)的特性,设计了一种基于高电子迁移率场效应管(HEMT)的压强传感器;并利用标准的微电子工艺和背部深硅刻蚀技术制作了器件;对器件在不同压强下的源-漏I-V特性进行了测试和评价.结果表明本文设计制作的压强传感器的I-V特性对压强的变化能做出灵敏的反应.Ⅲ族氮化物半导体器件具有高速度、高灵敏、大功率和耐高温等特点,本压强传感器具有更广的应用领域.