缺陷对二维碳化硅结构的影响

安玉凤; 戴振宏; 陈庆玲

doi:10.13951/j.cnki.37-1213/n.2016.04.004

烟台大学学报（自然科学与工程版） ›› 2016, Vol. 29 ›› Issue (4) : 252 -257. DOI: 10.13951/j.cnki.37-1213/n.2016.04.004

缺陷对二维碳化硅结构的影响

安玉凤, 戴振宏, 陈庆玲

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摘要

研究了单空位和双空位缺陷对碳化硅结构的影响.缺陷的存在明显地改变了碳化硅结构的带隙,C原子单空位缺陷转变为直接带隙半导体,带隙甚至减少到0.01 e V.通过对体系磁性的计算,我们发现Si原子的单空位缺陷和双空位缺陷均为体系带来了磁性,磁性的产生主要是由于Si原子缺陷的存在使得缺陷周围的C原子在缺陷处产生了未成对电子,从而体系产生了磁性.