掺镓单晶硅中环状分布的V型缺陷的研究

付学伟; 万小涵; 马文会; 李绍元; 杨时聪; 武绚丽

doi:10.16112/j.cnki.53-1223/n.2025.03.412

昆明理工大学学报（自然科学版） ›› 2025, Vol. 50 ›› Issue (03) : 31 -37. DOI: 10.16112/j.cnki.53-1223/n.2025.03.412

掺镓单晶硅中环状分布的V型缺陷的研究

付学伟, 万小涵, 马文会, 李绍元, 杨时聪, 武绚丽

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摘要

单晶硅原生缺陷对太阳能电池的性能有着至关重要的影响.目前对掺镓单晶硅的缺陷研究比较少，文中针对商用掺镓单晶硅的原生缺陷进行研究，并探索其对少子寿命的影响.光致发光光谱显示，在晶圆中分布着宽度为4～5 cm的黑环区域，金相显微镜图片观察到一种罕见的V形缺陷仅在环区中1～2 cm的范围内分布，该区域观察到大量团簇的晶体原生氧沉淀.表征结果显示，V型缺陷符合氧化堆垛层错的特征，这些V形缺陷与原生氧沉淀共同组成缺陷复合区.复合区域对少子寿命减少的负面影响要大于其他黑环区域，由此加重少子寿命的非均匀径向分布，最终将对太阳能电池的电性能产生不利影响.