卟啉改性D-A型共轭高分子的合成及光电性能

孙赛; 况挺; 蒋建忠; 高凯; 张斌; 李真; 董文芊

doi:10.14133/j.cnki.1008-9357.20240918001

功能高分子学报 ›› 2025, Vol. 38 ›› Issue (02) : 177 -186. DOI: 10.14133/j.cnki.1008-9357.20240918001

卟啉改性D-A型共轭高分子的合成及光电性能

孙赛, 况挺, 蒋建忠, 高凯, 张斌, 李真, 董文芊

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摘要

随着智能化时代的到来，信息量激增，人们对更大容量、稳定性强、功能全的存储设备需求增加。在众多材料中，有机高分子材料因其可调节的电学性能而受到关注。通过Knoevenagel缩合合成了含卟啉的D-A型共轭高分子对苯二甲腈-锌卟啉（PCN-ZnPor），该材料具有良好的热稳定性且可溶于极性溶剂。以此高分子为活性层制备的Al/PCN-ZnPor/ITO器件具有非易失性可擦写阻变存储性能，开启电压为-3.04 V，电流开关比为7×10～3，且稳定性较好。本研究表明，含卟啉的高分子材料在高密度存储领域具有巨大潜力。