直拉单晶硅制备过程中的氧含量精确控制技术研究

摘要

随着半导体产业的迅速发展，对单晶硅的质量要求越来越高。氧是硅晶体中的主要杂质之一，其含量和分布直接影响硅晶体的纯度、电学性能、机械强度，从而影响半导体器件的性能和可靠性。为了精确控制直拉单晶硅制备过程中的氧含量，提高单晶硅质量与性能，本文以直拉单晶硅制备工艺为基础，通过介绍气氛控制、晶体冷却过程控氧、气体净化技术和后处理技术等控氧技术，分析了各技术环节对氧含量的影响机制，并提出改进石英坩埚涂层技术和引入先进氧含量在线监测技术的工艺优化方案。研究结果表明：通过上述精确控制技术及工艺优化，能有效减少氧相关缺陷，实现对直拉单晶硅氧含量的精准把控，进而提升单晶硅的纯度及性能。

关键词

直拉单晶硅体 / 生长过程 / 控氧技术