碳化硅肖特基器件的氧化退火技术优化

摘要

碳化硅肖特基器件性能受氧化退火工艺参数不当与界面缺陷难以有效控制等因素制约。基于此，本研究提出基于多因素协同调控与缺陷精准抑制的氧化退火技术优化方案，通过设计多组对比实验和正交实验，系统探究退火气氛组成、温度及时间等参数对器件性能的影响规律，并采用离子注入和动态气氛控制技术优化界面质量。同时，通过多种表征手段综合分析器件性能。结果表明:优化后的氧化退火工艺使器件正向导通电压降低27.0%、反向漏电流减少81.3%、肖特基势垒高度提升15.9%、表面粗糙度下降42.2%，碳化硅肖特基器件的综合性能得到有效提升，该研究结果可为其大规模工业化生产提供可靠的技术支持。

关键词

碳化硅肖特基器件 / 氧化退火技术 / 工艺参数优化 / 界面缺陷控制