集成电路用铜锰合金靶材成分的研究

桂娟; 张克云; 王亮

doi:10.16009/j.issn.1009-5624.2026.01.008

信息记录材料 ›› 2026, Vol. 27 ›› Issue (1) : 24 -26. DOI: 10.16009/j.issn.1009-5624.2026.01.008

集成电路用铜锰合金靶材成分的研究

桂娟, 张克云, 王亮

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摘要

针对铜锰合金靶材成分分析的测试需求，本研究系统考察不同分析方法的适用性，采用辉光放电质谱(GDMS)对痕量杂质元素进行精确测定，并通过X射线荧光(XRF)光谱、能谱(EDS)和GDMS等多种方法对主成分之一的锰元素进行测定。结果表明:GDMS在无标样条件下可实现痕量杂质元素的可靠检测;主成分测试时，XRF在无标样校准时的半定量结果与校准数据偏差小于7%,EDS测试锰含量的相对偏差为0.1%。综合分析表明，痕量元素检测宜选用GDMS，而主成分分析则推荐采用XRF或EDS。本研究为铜锰合金靶材的质量控制提供了有效的分析方法和选择依据。