基于图像分析的半导体多晶硅晶粒尺寸高精度测量方法

闻澜霖

doi:10.16009/j.issn.1009-5624.2026.05.053

信息记录材料 ›› 2026, Vol. 27 ›› Issue (5) : 171 -174. DOI: 10.16009/j.issn.1009-5624.2026.05.053

基于图像分析的半导体多晶硅晶粒尺寸高精度测量方法

闻澜霖

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摘要

随着半导体技术的发展，多晶硅晶粒尺寸对器件性能的影响愈发显著，而传统测量方法存在精度低、效率低等问题。为此，本文提出了一种基于图像分析的半导体多晶硅晶粒尺寸高精度测量方法，通过优化图像采集、预处理、特征提取及测量模型构建，实现晶粒尺寸的亚微米级精度检测。实验表明：该方法在测量效率（100张/min）、分辨率（0.1μm）及三维信息获取能力上显著优于传统金相法、电子背散射衍射仪（EBSD）法及激光粒度分析法，综合成本可控，适用于半导体材料质量评估与工艺优化。