射频电容耦合等离子沉积技术在太阳能电池边缘钝化的研究

沈永臻; 曾武杨; 赵增超; 何明珠; 成秋云

doi:10.16009/j.issn.1009-5624.2026.15.005

信息记录材料 ›› 2026, Vol. 27 ›› Issue (15) : 15 -17. DOI: 10.16009/j.issn.1009-5624.2026.15.005

射频电容耦合等离子沉积技术在太阳能电池边缘钝化的研究

沈永臻, 曾武杨, 赵增超, 何明珠, 成秋云

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摘要

针对现有原子层沉积(ALD)氧化铝技术在太阳能电池边缘钝化中存在的产能低、成本高、有绕镀风险等问题，本文提出一种基于射频电容耦合等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备非晶硅(a-Si)+氮化硅(SiNx)叠层薄膜的方法，通过实验研究了该方法的沉积速率、绕镀情况、切割面成膜均匀性以及不同膜层结构对钝化效果和电池效率的影响。结果表明：该方法在粗糙表面成膜均匀，采用底层非晶硅+外层氮化硅的膜层结构进行双面钝化后，硅片的少子寿命达842μs,电池效率增益>0.08%。该方法有效解决了现有技术的痛点，具备规模化量产潜力。