锑化铟晶体生长技术的研究进展

陈基生; 罗晓清

doi:10.16009/j.issn.1009-5624.2026.19.002

信息记录材料 ›› 2026, Vol. 27 ›› Issue (19) : 6 -9+175. DOI: 10.16009/j.issn.1009-5624.2026.19.002

锑化铟晶体生长技术的研究进展

陈基生, 罗晓清

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摘要

锑化铟（InSb）半导体凭借其优异的窄带隙特性，在红外探测和量子器件领域不断释放其应用潜力。然而，实现其产业化突破，仍需克服晶体缺陷控制、杂质消除等制备难题。在过去二十年的技术演进中，直拉（CZ）法、垂直梯度凝固（VGF）法和垂直布里奇曼（VB）法3种工艺逐渐形成了互补发展的格局：CZ法虽可实现纳米级的生长控制，但受制于热场稳定性；VGF法适于生长低缺陷晶体，VB法则在量产稳定性方面具有突出优势。3种工艺路线的协调发展，正推动InSb材料走向产业化应用。基于上述对比，本文进一步提出了针对不同应用需求的工艺选择逻辑图。最后指出，实现高质量InSb衬底规模化生产的关键，在于将多物理场三维热对流模拟与动态工艺参数控制有机结合。