制备周期有序ZnO纳米棒阵列的影响因素研究

张忠文; 王佳乐

doi:10.19886/j.cnki.dhdz.2023.0142

东华大学学报（自然科学版） ›› 2024, Vol. 50 ›› Issue (02) : 52 -58. DOI: 10.19886/j.cnki.dhdz.2023.0142

制备周期有序ZnO纳米棒阵列的影响因素研究

张忠文, 王佳乐

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摘要

为研究ZnO纳米棒阵列的影响因素，通过聚苯乙烯(polystyrene, PS)纳米球刻蚀法及随后水热生长，在GaN衬底上制备周期有序的ZnO纳米棒阵列。通过选取不同尺寸的PS纳米球、反应离子刻蚀(RIE)的时长、生长温度和前驱体溶液浓度等条件，制备出具有不同周期性、不同形貌的ZnO纳米棒阵列，并通过XRD进行表征。研究结果表明：制备的ZnO纳米棒具有良好的结晶质量且沿着[0001]晶向优先生长。该研究调控了周期有序ZnO纳米棒阵列生长的影响因素，为制备半导体材料有序纳米阵列提供了一种低成本的方法。