C掺Sb2Te3相变薄膜在柔性衬底PI上的性能研究

潘晨杰; 高士伟; 吴良才

doi:10.19886/j.cnki.dhdz.2025.0044

东华大学学报（自然科学版） ›› 2026, Vol. 52 ›› Issue (1) : 105 -111. DOI: 10.19886/j.cnki.dhdz.2025.0044

C掺Sb₂Te₃相变薄膜在柔性衬底PI上的性能研究

潘晨杰, 高士伟, 吴良才

作者信息 +

Author information +

文章历史 +

PDF

摘要

相变存储器（PCM）是一种极具发展前景的柔性电子存储技术，但传统PCM的研究大多基于刚性衬底，无法满足柔性化的需求。选择在柔性衬底聚酰亚胺（PI）上制备了碳（C）掺杂Sb₂Te₃（C-Sb₂Te₃/PI）相变薄膜及器件单元，并研究了弯曲对薄膜相变性能的影响。结果表明，C-Sb₂Te₃/PI薄膜在未弯曲及弯曲1 000、5 000和10 000次后仍能完成相变过程且高低阻值稳定，具有良好的抗弯曲性能。多次弯曲未对薄膜的晶体结构和微观形貌产生影响。使用光刻工艺制备的C-Sb₂Te₃器件单元具有较快的相变速度（10 ns）和良好的循环特性（10～3次左右）。因此，C-Sb₂Te₃/PI在柔性存储器领域表现出应用潜力。