硫系薄膜材料相变温度光功率测量法研究

摘要

相变温度是衡量相变薄膜材料性能的关键参数，对相变存储器的数据保持力、热稳定性和功耗有着巨大的影响，因此相变温度的准确测量非常重要。目前，国内外测量薄膜材料相变温度的主要方法有变温X射线衍射法和差示扫描量热法，前者测量精度有限，后者是破坏性测量。本文根据薄膜材料相变前后光学性质会发生较大改变的特性，首先设计了薄膜材料相变温度测量仪的硬件部分，主要包含高温加热炉、样品台、光路模块等；其次探究了高温加热炉腔的温场均匀性及温度模块的控制能力，结果表明均符合实验要求；最后，利用此装置测量了典型硫系材料GeTe和Ge_2Sb_2Te_5薄膜的相变温度，10次测量平均值分别为212.7℃和145.4℃,标准偏差分别为1.70和2.32,测量结果稳定性良好，达到实验预期。

关键词

相变存储器 / 相变温度 / 高温加热炉 / 光功率 / 光功率测量法