外磁场对电子掺杂铜氧化物超导体拉曼散射谱的影响

谭宝宇; 耿志浩

doi:10.13543/j.bhxbzr.2026.01.013

北京化工大学学报（自然科学版） ›› 2026, Vol. 53 ›› Issue (1) : 140 -145. DOI: 10.13543/j.bhxbzr.2026.01.013

外磁场对电子掺杂铜氧化物超导体拉曼散射谱的影响

谭宝宇, 耿志浩

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摘要

铜氧化物超导体由于其广阔的应用前景和丰富的物理机制引起了学者们广泛的研究兴趣，但对高温超导的微观机制的探索却遇到了巨大的困难。为了理解磁场引起的自旋涨落对高温超导超导性的影响，本研究基于tt’-J模型研究了外磁场下电子掺杂铜氧化物超导体的拉曼散射谱，讨论了不同掺杂浓度和不同温度对外磁场的影响，分别计算了掺杂浓度为0.17和0.165以及温度为0.002 J和0.007 J条件下，磁场升高时的拉曼散射谱。计算结果表明，随着外磁场的增加，在不同掺杂浓度和温度下，B_1g和B_2g的峰强度均有明显的下降，峰位置有轻微的左移，表明随着外磁场的增加，超导能隙有所减小，同时随着温度的升高，峰强度随磁场增加而下降的速度略微缓慢。计算结果与实验定性一致，可以为电子掺杂铜氧化物超导体拉曼散射谱在外磁场下的演化理论提供一种合理解释。