微量Ni掺杂对铜锌锡硫硒薄膜电学性能的影响

摘要

为研究微量Ni掺杂对铜锌锡硫硒(Cu₂ZnSn（S,Se）₄)薄膜的结晶性、缺陷浓度和电学性能的影响，在不影响其他阳离子（铜、锌和锡）的前提下，引入微量Ni离子进入铜锌锡硫前驱体溶液中，经旋涂—烧结—硒化的制备流程，得到Ni掺杂的铜锌锡硫硒薄膜，并利用X射线衍射、 Raman光谱仪、 X射线光电子能谱、电感耦合等离子体光学发射光谱、扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计、 Hall效应和导电原子力显微镜对其进行测试分析.结果表明，当Ni掺杂百分数为0.5%时，薄膜的结晶度最佳，不良缺陷Sn_Zn缺陷浓度降到最低，载流子浓度为3.58×10¹⁶ cm^-3,平均表面电流为4.67 nA,薄膜的电学性能达到最佳.

关键词

铜锌锡硫硒薄膜 / Ni掺杂 / 缺陷浓度 / 电学性能