元素掺杂及分子吸附对B4C3电子性质的影响

李萱; 邵立; 门彩瑞; 何渊淘; 李艳

doi:10.13413/j.cnki.jdxblxb.2025125

吉林大学学报(理学版) ›› 2026, Vol. 64 ›› Issue (1) : 158 -165. DOI: 10.13413/j.cnki.jdxblxb.2025125

元素掺杂及分子吸附对B₄C₃电子性质的影响

李萱, 邵立, 门彩瑞, 何渊淘, 李艳

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摘要

研究S,N,P,Si 4种原子掺杂和NO,NO₂,NH₃,CO,CO₂,SO₂,H₂S 7种小分子吸附对B₄C₃二维材料几何结构和电子性质的影响.结果表明，与本征B₄C₃材料2.020 eV带隙相比，掺杂和小分子吸附体系的禁带宽度均减小.其中，N掺杂体系的带隙值在4种体系中最小，因此掺杂N原子对B₄C₃的电子性质影响最明显. NO₂吸附后B₄C₃由半导体变为金属，表明B₄C₃可有效检测NO₂气体.