SiC MOSFET雪崩可靠性验证实验平台研制

摘要

为满足碳化硅功率MOSFET器件雪崩鲁棒性性能评估与可靠性量化分析与测试的教学实验需求,自研SiC MOSFET可靠性验证实验平台。提出功率SiC MOFET器件驱动电路设计与应用方案,构建实验平台等效电路模型并进行参数仿真,设计、制作测试电路板并搭建整体实验平台。开展商用SiC MOSFET可靠性实验与研究,分析其性能失效前后的电流电压响应曲线,并研究不同感性负载对雪崩特性的影响,测试结果遵循功率MOSFET器件理论规律,验证了实验平台的可用性。该平台开放性强、功能可扩展、成本低,可用于功率器件教学实训和创新科研,为我国功率器件与芯片领域的卓越工程师培养提供试验平台。

关键词

功率SiC MOSFET / 雪崩鲁棒性 / 实验平台 / 电路设计 / 印制电路板

基金资助

浙江省自然科学基金(LTGC24F040001);浙江省自然科学基金青年原创(LDQ24F040001); 浙江省教育厅一般科研项目(Y202351231)